Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Statistics
Title Hits Visitors Downloads
Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок 1566 2117 628
Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением 1177 1388 241
Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения 1418 1888 519
Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах 2506 2990 556
Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr 1228 1470 262
Спектрометрические характеристики матричных детекторов рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr 1061 1292 245
Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением 1721 2047 423
Влияние разорванных кольцевых резонаторов на пропускание планарного волновода в терагерцовом диапазоне частот 1115 1419 320
Спектральные детекторы рентгеновского излучения для неразрушающего контроля объектов из полимерных композитных материалов 399 433 38
Моделирование эффективности сбора заряда и фоточувствительности карбид кремниевых и сапфировых сенсоров рентгеновского излучения 209 260 57
Аппаратная реализация системы управления и сбора данных для счетных детекторов рентгеновского излучения 138 192 58
Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом 673 888 223
Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур 1893 2181 336
Исследование влияния геометрических характеристик фотопроводящих дипольных антенн на основе Si-GaAs на генерацию терагерцового излучения 907 1145 264
Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия 2384 2771 454
Система контроля дефектности полупроводниковых пластин и структур 104 127 25
Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом 8 11 3
Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения 108 136 35
Влияние материала подложки на свойства пленок оксида тантала 41 56 18
Исследование прототипа специализированной интегральной микросхемы для считывания сигналов многоканальных сенсоров рентгеновского излучения 559 599 51
Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия 1248 1513 295
Определение влияния времени жизни носителей заряда арсенида галлия на эффективность непрерывной и импульсной генерации и детектирования излучения терагерцового диапазона частот 606 606 6
Влияние длины и формы дипольных антенн на основе SI-GaAs на спектры генерации терагерцового излучения 1292 1475 215
Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами 103 143 42
Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии 1286 1271 6
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs 3077 3272 408
Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом 685 817 150
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом 1536 1738 239
Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления 1541 1861 369
Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения 1043 1242 218
Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира 121 160 41
Repository Search URL

Тяжев, Антон Владимирович

VIRTUA search URL
Formatted Bibliography URL

Тяжев, Антон Владимирович

Bibliography Markup

To include a live feed of this author's bibliography on a static Web page (e.g., a personal home page), add the following HTML code to the body of your HTML.

^